+48 71 783 63 60
tespol@tespol.com.pl
Fotoodbiorniki / fotodetektory serii HPBR składają się z kombinacji dwóch fotodiod połączonych antyrównolegle z późniejszym wzmacniaczem transimpedancyjnym o niskim poziomie szumów. Fotodiody są starannie dobierane i dopasowywane parami, aby osiągnąć najwyższy współczynnik tłumienia sygnału zgodnego (DMRR). Niski poziom szumów wejściowych (NEP) i doskonałe tłumienie sygnału wspólnego wyznaczają standardy dla zbalansowanych fotoodbiorników w zakresie MHz i umożliwiają na bardzo czułe wykrywanie sygnału. Wysoka szerokość pasma umożliwia precyzyjną detekcję impulsów laserowych, nawet przy dużej częstotliwości powtarzania i szybko zmieniających się kształtach sygnału, np. w kwantowej tomografii stanu. Dzięki dodatkowym funkcjom, takim jak przełączane ograniczenie pasma (filtr dolnoprzepustowy), oddzielne szybkie wyjścia monitorowe, regulowane przesunięcie i przełączalne sprzężenie AC/DC, fotoodbiorniki serii HBPR należą do najbardziej wszechstronnych fotoodobiorników.
Cechy pomiarowe:
Zastosowanie:
Modele dla zakresu widmowego od 320 do 1000nm:
|
Model |
HBPR-100M-60K-SI-FST
HBPR-100M-60K-SI-FS HBPR-100M-60K-SI-FC |
HBPR-200M-30K-SI-FST
HBPR-200M-30K-SI-FS HBPR-200M-30K-SI-FC |
HBPR-500M-10K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FS HBPR-500M-10K-SI-FC |
|
Fotodioda Si-PIN |
0.8 mm Ø |
0.8 mm Ø |
0.4 mm Ø Wersja FC z soczewką kulistą |
|
Zakres widmowy |
320 – 1000 |
320 – 1000 | 320 – 1000 |
|
Szerokość pasma (-3dB) |
DC – 100 MHz | DC – 200 MHz |
DC – 500 MHz |
|
Wzmocnienie transimpedancji (przełączane) |
2.0 x 104 V/A |
1.0 x 104 V/A 3.0 x 104 V/A |
5.0 x 103 V/A |
|
Wzmocnienie konwersji (przełączane) |
10.8 x 103 V/W typ. |
5.4 x 103 V/W typ. 16.2 x 103 V/W (@ 850 nm) |
2.55 x 103 V/W typ. |
|
Minimum NEP |
≤6.5 pW/√Hz (@850nm) |
≤7.8 pW/√Hz (@850nm) |
≤12 pW/√Hz (@850nm) |
|
NEP (@ 20 MHz) |
≤7.4 pW/√Hz (@850nm) |
≤8.8 pW/√Hz (@850nm) |
≤13 pW/√Hz (@850nm) |
|
CMRR (typ.) |
50 dB |
45 dB |
40 dB |
Modele dla zakresu widmowego od 800 do 1700nm:
|
Model |
HBPR-100M-60K-SI-FST
HBPR-100M-60K-SI-FS HBPR-100M-60K-SI-FC |
HBPR-200M-30K-SI-FST
HBPR-200M-30K-SI-FS HBPR-200M-30K-SI-FC |
HBPR-500M-10K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FS HBPR-500M-10K-SI-FC |
|
Fotodioda InGaAs-PIN |
0.3 mm Ø (modele FS/FST), 80µm Ø, obiektyw kulowy (model FC) |
||
|
Zakres widmowy |
800 - 1700 nm (FS/FST model), 900 - 1700 nm (FC model) |
||
|
Szerokość pasma (-3dB) |
DC – 100 MHz |
DC – 200 MHz |
DC – 450 MHz (FS/FST) DC – 500 MHz (FC) |
|
Wzmocnienie transimpedancji (przełączane) |
2.0 x 104 V/A |
1.0 x 104 V/A 3.0 x 104 V/A |
5.0 x 103 V/A |
|
Wzmocnienie konwersji (przełączane) |
19 x 103 V/W typ. |
9.5 x 103 V/W typ. 28.5 x 103 V/W typ. |
4.75 x 103 V/W typ. |
|
Minimum NEP |
≤3.7 pW/√Hz |
≤4.4 pW/√Hz (FS/FST)
≤4.1 pW/√Hz (FC) |
≤6.5 pW/√Hz (FS/FST) ≤6.7 pW/√Hz (FC) |
| NEP (@ 20 MHz) |
≤4.3 pW/√Hz (FS/FST) ≤4.0 pW/√Hz (FC) |
≤4.9 pW/√Hz (FS/FST)
≤4.4 pW/√Hz (FC) |
≤6.9 pW/√Hz |
|
CMRR (typ.) |
50 dB (FS/FST) 55 dB (FC) |
45 dB (FS/FST)
50 dB (FC) |
35 dB (FS/FST) 45 dB (FC) |
Przesunięcie regulowane za pomocą potencjometru lub zewnętrznego napięcia sterującego.
Wyjście zabezpieczone przed zwarciem.
Zasilanie ±15V poprzez 3-pinowe gniazdo Lemo®.
Parametry obowiązujące wszystkie modele:
| Maksymalna moc w trybie wspólnym CW | 10 mW na każdą fotodiodę |
| Filtr dolnoprzepustowy | Pełne pasmo z możliwością przełączania na 20MHz (górna częstotliwość odcięcia) |
| Filtr górnoprzepustowy (sprzężenie AC) | Sprzężenie DC z możliwością przełączania na AC (dolna częstotliwość odcięcia 10Hz) |
| Napięcie wyjściowe sygnału | ±1.0 V przy obciążeniu 50 Ω (dla wzmocnienia liniowego i niskich zniekształceń harmonicznych), maksymalnie ±2.0 V przy obciążeniu 50 Ω |
| Wyjście monitorowe | Wzmocnienie transimpedancji 1000 V/A, szerokość pasma DC - 10 MHz,
Napięcie wyjściowe 0 ... +10 V (przy obciążeniu ≥100 k Ω) |
| Napięcie / prąd zasilania | ±15 V (±14.5 V … ±16.5 V)-90 / +120 mA typ. |
| Wymiary | Wymiary: 80 x 80 x 30.5 mm (Długość x Szerokość x Wysokość)
Waga: 350g (modele FC), 410g (modele FS/FST) |
